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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 N 沟道(双)共漏 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DMN2028UFDH-7 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 151pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 毫欧 @ 4A,10V |
供应商器件封装 | PowerDI3030-8 |
其它名称 | DMN2028UFDH-7DICT |
功率-最大值 | 1.1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.8A |