Datasheet下载- 型号： DMN2016UTS-13
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2016UTS-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2016UTS-13价格参考。Diodes Inc.DMN2016UTS-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN2016UTS-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2016UTS-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOPMOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.58 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.58 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2016UTS-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN2016UTS-13 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.88 W |
| Pd-功率耗散 | 880 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16.5 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 11.66 ns |
| 下降时间 | 16.27 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1495pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14.5 毫欧 @ 9.4A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFETs - Low Threshold Voltage |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | DMN2016UTS-13DICT |
| 典型关闭延迟时间 | 59.38 ns |
| 功率-最大值 | 880mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSSOP-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.58A |
| 系列 | DMN2016U |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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