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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2014LHAB-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2014LHAB-7价格参考。Diodes Inc.DMN2014LHAB-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 9A 800mW 表面贴装 U-DFN2030-6(B 类)。您可以下载DMN2014LHAB-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN2014LHAB-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN2014LHAB-7是一款晶体管阵列,具体为MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)阵列。这种器件广泛应用于各种电子设备中,尤其适用于需要高效、紧凑和低功耗解决方案的场合。 应用场景: 1. 电源管理: - DMN2014LHAB-7常用于电源管理系统中,例如DC-DC转换器、线性稳压器等。它能够提供高效的开关功能,帮助实现电压调节和电流控制。 - 由于其低导通电阻(Rds(on)),该器件在电源管理应用中可以减少功率损耗,提高整体效率。 2. 负载切换: - 在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,DMN2014LHAB-7可用于负载切换电路,以控制不同模块的供电状态,从而延长电池寿命。 - 它还可以用于USB端口保护,防止过流或短路对系统造成损害。 3. 电机驱动: - 对于小型电机驱动应用,如风扇、泵或微型机器人,DMN2014LHAB-7可以作为驱动电路的一部分,控制电机的启动、停止和速度调节。 - 其快速开关特性有助于提高电机驱动的响应速度和精度。 4. 信号调理: - 在模拟和数字信号处理电路中,DMN2014LHAB-7可以用作开关元件,用于选择不同的信号路径或隔离敏感信号。 - 它还适用于多路复用器和解复用器设计,简化电路布局并提高可靠性。 5. 消费电子产品: - 在消费电子产品如电视、音响设备和智能家居控制器中,该MOSFET阵列可以用于背光驱动、音频放大和其他辅助功能。 - 其小尺寸和高集成度使得它非常适合空间受限的应用。 6. 工业控制: - 在工业自动化和控制系统中,DMN2014LHAB-7可用于PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口和执行器驱动等场合。 - 它能够承受较宽的工作温度范围,确保在恶劣环境下稳定运行。 总之,DMN2014LHAB-7凭借其出色的性能和广泛的适用性,成为众多电子应用中的理想选择,特别是在需要高效能和紧凑设计的领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DMN2014LHAB-7 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1550pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13 毫欧 @ 4A, 4.5V |
供应商器件封装 | 6-UDFN2020(2x2) |
其它名称 | DMN2014LHAB-7DICT |
功率-最大值 | 800mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A |