Datasheet下载- 型号： DMN2009LSS-13
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2009LSS-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2009LSS-13价格参考。Diodes Inc.DMN2009LSS-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN2009LSS-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2009LSS-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMN2009LSS-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 通道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）、小封装尺寸和高开关速度等特点，适用于多种电子应用领域。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 DMN2009LSS-13 可用于各种电源管理电路中，例如 DC-DC 转换器、负载开关和 LDO（低压差线性稳压器）。其低 Rds(on) 特性有助于减少功率损耗并提高效率。 2. 便携式设备 由于其小型化的 SOT-363 (SC-88A) 封装和低功耗特性，该 MOSFET 广泛应用于手机、平板电脑、可穿戴设备和其他便携式电子产品中，作为负载开关或保护电路的一部分。 3. 电机驱动与控制 在小型电机驱动应用中，这款 MOSFET 可用作开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。它适合低电压、小功率电机的应用场景。 4. 信号切换 DMN2009LSS-13 可用于音频信号切换、数据线路切换等场景，提供快速且可靠的信号路径切换功能。 5. 电池保护 在电池管理系统中，该器件可以用作电池充放电保护开关，防止过流、短路或过充等情况发生。 6. 消费类电子产品 包括 USB 充电器、蓝牙音箱、智能家居设备等在内的消费类电子产品中，这款 MOSFET 常被用作高效开关元件。 总结来说，DMN2009LSS-13 因其出色的性能和紧凑设计，非常适合需要高效、低功耗和小型化解决方案的各种电子应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOICMOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 20V 12A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2009LSS-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN2009LSS-13 |
| PCN其它 | |
| Pd-PowerDissipation | 2000 mW |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2555pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 58.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta） |
| 系列 | DMN2009L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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