ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > DMN2004K-7
Datasheet下载- 型号： DMN2004K-7
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2004K-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2004K-7价格参考￥0.38-￥0.60。Diodes Inc.DMN2004K-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 630mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载DMN2004K-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2004K-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN2004K-7是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：DMN2004K-7常用于开关电源、DC-DC转换器和线性稳压器等电源管理系统中。它能够高效地控制电流的通断，确保电源系统的稳定性和效率。此外，该MOSFET还适用于电池充电电路，帮助实现精确的电流控制和保护功能。 2. 负载开关：在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，DMN2004K-7可以用作负载开关，快速响应并切断或接通电源，以节省能源并提高设备的续航能力。 3. 电机驱动：该MOSFET适合用于小型电机驱动电路，例如步进电机、直流电机和无刷直流电机等。它可以提供足够的电流驱动能力，同时保持较低的导通电阻，减少功率损耗。 4. 信号切换：在通信设备和工业控制系统中，DMN2004K-7可用于高速信号切换。其快速的开关速度和低电容特性使其成为理想的选择，能够在不同信号路径之间进行高效切换，而不会引入过多的延迟或干扰。 5. 保护电路：为了防止过流、短路和其他异常情况，DMN2004K-7可以集成到保护电路中。它的高可靠性和耐用性确保了即使在恶劣环境下也能正常工作，为整个系统提供有效的保护。 6. 音频放大器：在一些低功耗音频应用中，DMN2004K-7可以作为音频信号放大的一部分，提供干净且不失真的输出，特别适合耳机放大器和其他便携式音频设备。 总之，DMN2004K-7凭借其优异的性能和广泛的适用性，在众多领域内得到了广泛应用。无论是消费电子、工业控制还是通信设备，它都能发挥重要作用，满足不同的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 540MA SOT23-3MOSFET 20V 540mA |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 540 mA |
| Id-连续漏极电流 | 540 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2004K-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN2004K-7 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 350 mW |
| Pd-功率耗散 | 350 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 550 mOhms at 4.5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 550 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 8.4 ns |
| 下降时间 | 37.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | DMN2004KDICT |
| 典型关闭延迟时间 | 59.4 ns |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 630mA （Ta） |
| 系列 | DMN2004K |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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