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Datasheet下载- 型号： DMN2004DWK-7
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2004DWK-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2004DWK-7价格参考。Diodes Inc.DMN2004DWK-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 540mA 200mW 表面贴装 SOT-363。您可以下载DMN2004DWK-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2004DWK-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN2004DWK-7是一款晶体管FET（场效应晶体管）MOSFET阵列，具有多种应用场景，特别是在需要高效、低功耗和紧凑设计的电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：该器件适用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、线性稳压器和负载开关。它能够提供高效的电流控制和低导通电阻（Rds(on)），从而减少功率损耗并提高系统效率。 2. 消费电子设备：在智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品中，DMN2004DWK-7可用于电池管理、充电电路和音频放大器等。其小尺寸和低静态电流特性使其成为这些设备的理想选择。 3. 工业自动化：在工业控制系统中，这款MOSFET阵列可以用于电机驱动、传感器接口和信号调理电路。它的高可靠性和耐受能力确保了在恶劣环境下的稳定运行。 4. 通信设备：对于路由器、交换机和其他网络基础设施，该器件可应用于电源调节、信号切换和保护电路。其快速响应时间和低寄生电容有助于改善信号完整性和系统性能。 5. 汽车电子：在现代汽车中，从娱乐系统到动力总成控制单元，都需要高性能的半导体组件。DMN2004DWK-7符合AEC-Q101标准，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块以及LED照明驱动等场合。 6. 物联网（IoT）节点：随着智能家居和智慧城市的发展，越来越多的小型化、智能化设备涌现出来。此MOSFET阵列凭借其低功耗特点，非常适合用作无线传感器节点、微控制器单元（MCU）周边电路中的关键元件。 总之，DMN2004DWK-7因其优异的电气参数和物理特性，在众多领域有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT-363MOSFET Dual N-Channel |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 540 mA |
| Id-连续漏极电流 | 540 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2004DWK-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN2004DWK-7 |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 550 mOhms at 4.5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 550 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | DMN2004DWK7 |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 540mA |
| 系列 | DMN2004D |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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