【晶体管 - FET，MOSFET - 单_DMN1019UFDE-7】封装/厂家_DMN1019UFDE-7中文资料_价格

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型号： DMN1019UFDE-7
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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DMN1019UFDE-7产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供DMN1019UFDE-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN1019UFDE-7价格参考。Diodes Inc.DMN1019UFDE-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 12V 11A (Ta) 690mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)。您可以下载DMN1019UFDE-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN1019UFDE-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6EMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	11 A
Id-连续漏极电流	11 A
品牌	Diodes Incorporated
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN1019UFDE-7-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	DMN1019UFDE-7
Pd-PowerDissipation	0.69 W
Pd-功率耗散	690 mW
Qg-GateCharge	27.3 nC
Qg-栅极电荷	27.3 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	10 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	10 mOhms
RoHS指令信息	http://diodes.com/download/4349
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	12 V
Vds-漏源极击穿电压	12 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 8 V
Vgs-栅源极击穿电压	8 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	0.8 V
Vgsth-栅源极阈值电压	0.8 V
上升时间	22.2 ns
下降时间	16.8 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	800mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2425pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	50.6nC @ 8V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	*
其它名称	DMN1019UFDE-7DITR DMN1019UFDE7
典型关闭延迟时间	57.6 ns
功率-最大值	690mW
包装	带卷（TR）
商标	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	10 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	6-UDFN
封装/箱体	UDFN2020-6
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	3,000
正向跨导-最小值	28 S
汲极/源极击穿电压	12 V
漏极连续电流	11 A
漏源极电压(Vdss)	12V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	11A （Ta）
系列	DMN1019U
通道模式	Enhancement
配置	Single

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