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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMMT5401-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMMT5401-7-F价格参考。Diodes Inc.DMMT5401-7-F封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair 150V 200mA 300MHz 300mW Surface Mount SOT-26。您可以下载DMMT5401-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMMT5401-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS DUAL PNP 150V 200MA SOT26两极晶体管 - BJT MATCHED PNP SM SIGNAL TRANS |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated DMMT5401-7-F- |
数据手册 | |
产品型号 | DMMT5401-7-F |
PCN其它 | |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 10mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-26 |
其它名称 | DMMT5401-FDICT |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 300 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-6 |
封装/箱体 | SOT-26 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | 2 PNP(双)配对 |
最大功率耗散 | 300 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 150V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 |
系列 | DMMT5401 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 150 V |
集电极—基极电压VCBO | 160 V |
频率-跃迁 | 300MHz |