【晶体管 - FET，MOSFET - 阵列_DMG6898LSD-13】封装/厂家_DMG6898LSD-13中文资料_价格

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型号： DMG6898LSD-13
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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DMG6898LSD-13产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供DMG6898LSD-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG6898LSD-13价格参考￥1.28-￥1.28。Diodes Inc.DMG6898LSD-13封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 9.5A 1.28W 表面贴装 8-SO。您可以下载DMG6898LSD-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMG6898LSD-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SOMOSFET MOSFET N-CHAN
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	9.5 A
Id-连续漏极电流	9.5 A
品牌	Diodes Incorporated
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG6898LSD-13-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	DMG6898LSD-13
PCN其它	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	1.28 W
Pd-功率耗散	1.28 W
Qg-GateCharge	11.6 nC
Qg-栅极电荷	11.6 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	11 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	11 mOhms
RoHS指令信息	http://diodes.com/download/4349
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1149pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	26nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	16 毫欧 @ 9.4A，4.5V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
其它名称	DMG6898LSD-13DITR DMG6898LSD13
功率-最大值	1.28W
包装	带卷（TR）
商标	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SO-8
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	2,500
正向跨导-最小值	17 S
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	9.5A
系列	DMG6898L
配置	Dual