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Datasheet下载- 型号： DMG6601LVT-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG6601LVT-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG6601LVT-7价格参考。Diodes Inc.DMG6601LVT-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 3.8A，2.5A 850mW 表面贴装 TSOT-26。您可以下载DMG6601LVT-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMG6601LVT-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMG6601LVT-7 是一款高性能、低功耗的 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要应用于电源管理和信号切换等领域。它具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热稳定性等特点，适用于多种电子设备和系统中。以下是 DMG6601LVT-7 的一些典型应用场景： 1. 电源管理 DMG6601LVT-7 常用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等电源管理系统中。由于其低导通电阻特性，能够有效减少功率损耗，提高电源转换效率。在便携式设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等中，该器件可以帮助延长电池寿命。 2. 负载开关 在需要频繁控制电路通断的应用场景中，DMG6601LVT-7 可以作为负载开关使用。它能够在微秒级时间内完成开关操作，确保电流的快速响应和稳定输出。这种应用常见于汽车电子、工业控制系统以及消费电子产品中。 3. 电机驱动 对于小型电机驱动电路，DMG6601LVT-7 可以提供高效的电流控制能力。它支持双向电流流动，并且具备良好的散热性能，适合驱动步进电机、直流电机等。这类应用广泛存在于智能家居、机器人技术和自动化设备中。 4. 保护电路 在设计过流保护、短路保护等安全机制时，DMG6601LVT-7 可以充当关键组件。它的高耐压特性和快速响应时间使得它能够在异常情况下迅速切断电流路径，防止损坏其他敏感元件。 5. 通信设备 在通信基站、路由器等网络设备中，DMG6601LVT-7 可用于电源模块或信号调理电路中，确保稳定的电压供应并优化信号传输质量。此外，在射频前端模块中，它可以实现对高频信号的有效隔离与切换。 总之，DMG6601LVT-7 凭借其优异的电气性能和可靠性，成为众多现代电子产品不可或缺的一部分。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOTMOSFET 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.8 A, 2.5 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG6601LVT-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMG6601LVT-7 |
| Pd-PowerDissipation | 0.85 W |
| Pd-功率耗散 | 850 mW |
| Qg-GateCharge | 5.4 nC, 6.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5.4 nC, 6.5 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 85 mOhms, 190 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V, 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
| 上升时间 | 4.6 ns, 7.4 ns |
| 下降时间 | 15.6 ns, 2.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 422pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 55 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSOT-26 |
| 其它名称 | DMG6601LVT-7DIDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 31.2 ns, 18.3 ns |
| 功率-最大值 | 850mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | TSOT-26-6 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A，2.5A |
| 系列 | DMG6601L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Complementary |
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