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  • 型号: DMG6402LDM-7
  • 制造商: Diodes Inc.
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DMG6402LDM-7产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMG6402LDM-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG6402LDM-7价格参考。Diodes Inc.DMG6402LDM-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 5.3A(Ta) 1.12W(Ta) SOT-26。您可以下载DMG6402LDM-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMG6402LDM-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

DMG6402LDM-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 通道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其应用场景主要包括以下几个方面:

1. 便携式电子设备:  
   DMG6402LDM-7 的小型封装(如 SOT-363)使其非常适合用于空间受限的便携式设备中,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备(如智能手表和健身追踪器)以及便携式音频设备。这些设备需要高效的功率管理解决方案,而该 MOSFET 的低导通电阻(Rds(on))特性可以减少功耗并延长电池寿命。

2. 电源管理:  
   该器件常用于 DC-DC 转换器、负载开关和 LDO 稳压器等电源管理系统中。其低导通电阻和快速开关速度有助于提高效率,降低热损耗,同时支持高频率操作以减小外部元件尺寸。

3. 电机驱动与控制:  
   在小型直流电机驱动应用中(如玩具、风扇或微型泵),DMG6402LDM-7 可作为开关元件来控制电机的速度和方向。它的低 Rds(on) 和高电流能力能够满足这类应用的需求。

4. 信号切换与保护:  
   它可以用作信号切换开关,在数据通信线路或传感器接口中实现信号的隔离或选择性传输。此外,它还可以用于过流保护电路中,通过检测异常电流并迅速切断电路来防止损坏其他组件。

5. 消费电子产品:  
   包括数码相机、游戏控制器、遥控器和其他家用电器在内的各种消费类产品都可以使用此 MOSFET 来优化性能和能效。

总之,DMG6402LDM-7 凭借其紧凑的设计、优异的电气特性和可靠性,成为许多低功率和中功率应用的理想选择,特别适合需要高效能量转换和节省空间的设计场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-26

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5.3 A

Id-连续漏极电流

5.3 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG6402LDM-7-

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产品型号

DMG6402LDM-7

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

1.12 W

Pd-功率耗散

1.12 W

Qg-GateCharge

9.2 nC

Qg-栅极电荷

9.2 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

32 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

32 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

6.18 nS

下降时间

2.84 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

404pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

9.2nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

27 毫欧 @ 7A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-26

其它名称

DMG6402LDM-7DICT

典型关闭延迟时间

13.92 nS

功率-最大值

1.12W

包装

剪切带 (CT)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-23-6

封装/箱体

SOT-26-6

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

10 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.3A (Ta)

系列

DMG6402L

配置

Single Quad Drain

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