【晶体管 - FET，MOSFET - 阵列_DMG4800LSD-13】封装/厂家_DMG4800LSD-13中文资料_价格

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型号： DMG4800LSD-13
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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DMG4800LSD-13产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供DMG4800LSD-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG4800LSD-13价格参考￥询价-￥询价。Diodes Inc.DMG4800LSD-13封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A 1.17W Surface Mount 8-SOP。您可以下载DMG4800LSD-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMG4800LSD-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOMOSFET Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	7.5 A
Id-连续漏极电流	7.5 A
品牌	Diodes Incorporated
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG4800LSD-13-
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产品型号	DMG4800LSD-13
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PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	1.17 W
Pd-功率耗散	1.17 W
RdsOn-漏源导通电阻	22 mOhms
RoHS指令信息	http://diodes.com/download/4349
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 25 V
Vgs-栅源极击穿电压	25 V
上升时间	4.5 ns
下降时间	8.55 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.6V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	798pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	8.56nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	16 毫欧 @ 9A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SOP
其它名称	DMG4800LSD-13DIDKR
典型关闭延迟时间	26.33 ns
功率-最大值	1.17W
包装	Digi-Reel®
商标	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SO-8
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	7.5A
系列	DMG4800L
通道模式	Enhancement
配置	Dual

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