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  • 型号: DMG3414U-7
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMG3414U-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG3414U-7价格参考¥0.66-¥0.87。Diodes Inc.DMG3414U-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMG3414U-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMG3414U-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23MOSFET N-Ch 20V VDSS 8 Vgss 30A IDM

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4.2 A

Id-连续漏极电流

4.2 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG3414U-7-

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产品型号

DMG3414U-7

PCN其它

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

0.78 W

Pd-功率耗散

780 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

25 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

25 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

8.3 ns

下降时间

9.6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

900mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

829.9pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

9.6nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

25 毫欧 @ 8.2A,4.5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23-3

其它名称

DMG3414U-7DITR
DMG3414U7

典型关闭延迟时间

40.1 ns

功率-最大值

780mW

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.2A (Ta)

系列

DMG3414U

通道模式

Enhancement

配置

Single

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