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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG264120R由Panasonic Corporation设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG264120R价格参考。Panasonic CorporationDMG264120R封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 300mW Surface Mount Mini6-G4-B。您可以下载DMG264120R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMG264120R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Panasonic Electronic Components的DMG264120R是一款双极晶体管(BJT)阵列,具有预偏置特性。这种类型的器件主要用于需要多个晶体管协同工作的电路中,尤其适用于需要高精度、稳定性和可靠性的应用领域。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 DMG264120R可以用于电源管理电路中,如电压调节器、稳压器等。由于其预偏置特性,能够确保在启动和工作过程中提供稳定的电流输出,减少波动和噪声。它还可以用于过流保护电路,防止电源系统因过载而损坏。 2. 音频放大器 在音频设备中,如耳机放大器、扬声器驱动器等,DMG264120R可以作为信号放大的关键元件。它的低噪声特性和高增益使其适合用于高质量音频信号的放大,确保音质清晰、失真小。 3. 传感器接口 对于各种传感器(如温度传感器、压力传感器等),DMG264120R可以用作信号调理电路的一部分。它可以将微弱的传感器信号进行放大,并转换为适合后续处理的电信号。预偏置功能有助于提高信号的线性度和稳定性。 4. 工业控制 在工业自动化和控制系统中,DMG264120R可以用于驱动继电器、电机或其他执行机构。它的高耐压和大电流能力使其能够在恶劣环境下稳定工作,同时预偏置设计可以简化电路设计,减少外部元件的需求。 5. 通信设备 在通信设备中,如无线发射器、接收器等,DMG264120R可以用于射频(RF)信号的放大和调制。其高速开关特性和低噪声性能使得它非常适合用于高频信号处理,确保通信质量。 6. 消费电子 在消费电子产品中,如智能手机、平板电脑等,DMG264120R可以用于背光驱动、充电管理等功能模块。它的小尺寸和高效能使其成为便携式设备的理想选择。 总之,DMG264120R凭借其预偏置特性、高精度和可靠性,广泛应用于电源管理、音频放大、传感器接口、工业控制、通信设备以及消费电子等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP MINI6开关晶体管 - 偏压电阻器 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | PanasonicPanasonic Electronic Components - Semiconductor Products |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Panasonic DMG264120R- |
数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+3+AJC7003+DMG26412+8+WW |
产品型号 | DMG264120RDMG264120R |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 5mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 50 @ 100mA,10V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | 迷你型6-G4-B |
其它名称 | DMG264120RDKR |
典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Panasonic |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-6 |
封装/箱体 | Mini6-G4-B |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
集电极连续电流 | - 500 mA |
频率-跃迁 | - |