ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > DMG264020R
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG264020R由Panasonic Corporation设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG264020R价格参考。Panasonic CorporationDMG264020R封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount Mini6-G4-B。您可以下载DMG264020R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMG264020R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Panasonic Electronic Components的型号为DMG264020R的晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,主要用于需要高精度、低噪声和稳定性能的应用场景。以下是一些典型的应用领域: 1. 音频设备:该型号的晶体管适用于高端音响系统、耳机放大器和其他音频处理设备。预偏置设计确保了低失真和高保真的音频信号传输,使得声音更加清晰和自然。 2. 精密测量仪器:在要求高精度的测试与测量设备中,如示波器、万用表等,DMG264020R能够提供稳定的增益和低噪声特性,确保测量结果的准确性。 3. 医疗电子设备:例如心电图机、超声波诊断仪等,这些设备对信号的准确性和稳定性有极高的要求。预偏置的晶体管阵列有助于提高系统的可靠性和响应速度。 4. 工业控制系统:用于各种自动化控制装置,如PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口电路等。其良好的线性度和温度稳定性使其能够在恶劣环境下保持正常工作。 5. 通信设备:包括无线基站、卫星通信终端等。该晶体管可以用来构建高效的射频前端模块,以实现更远距离、更低误码率的数据传输。 6. 消费电子产品:如智能手机、平板电脑内的某些关键部件也可能采用这种类型的晶体管来优化电源管理或信号处理功能。 7. 汽车电子:在现代汽车中,从娱乐系统到安全辅助系统都可能用到这类高性能的晶体管。它们能承受较大的电流波动并保持良好表现。 总之,DMG264020R凭借其独特的预偏置特性,在众多需要精确控制电流和电压的应用场合表现出色,特别是在那些对可靠性、效率及小型化有严格要求的产品中尤为适用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP MINI6开关晶体管 - 偏压电阻器 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | PanasonicPanasonic Electronic Components - Semiconductor Products |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Panasonic DMG264020R- |
数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+BFA7001+DMG26402+8+WW |
产品型号 | DMG264020RDMG264020R |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | 迷你型6-G4-B |
其它名称 | DMG264020RDKR |
典型输入电阻器 | 22 kOhms |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Panasonic |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-6 |
封装/箱体 | Mini6-G4-B |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
集电极连续电流 | - 100 mA |
频率-跃迁 | - |