ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > DMG263010R
Datasheet下载- 型号： DMG263010R
- 制造商： Panasonic Corporation
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG263010R由Panasonic Corporation设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG263010R价格参考。Panasonic CorporationDMG263010R封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount Mini5-G3-B。您可以下载DMG263010R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMG263010R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Panasonic Electronic Components的DMG263010R是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置的产品。这款器件主要应用于需要高精度、低噪声和稳定性能的电路中，尤其适用于以下几种典型应用场景： 1. 音频放大器：由于其预偏置特性，DMG263010R能够提供稳定的偏置电压，确保音频信号在放大过程中不失真。它适合用于高品质音响设备、耳机放大器等对音质要求较高的应用。 2. 模拟信号处理：在模拟电路中，该晶体管阵列可用于构建高性能的运算放大器、滤波器和其他模拟信号处理电路。其低噪声和高线性度特性使其非常适合处理微弱信号，如传感器信号调理电路。 3. 电源管理：在一些精密电源管理系统中，DMG263010R可以用于稳压器、DC-DC转换器等电路中，帮助实现高效的电压调节和电流控制。其预偏置设计有助于提高系统的响应速度和稳定性。 4. 通信设备：在无线通信和射频（RF）电路中，该器件可用于前端模块中的低噪声放大器（LNA），以增强接收信号的质量。此外，它还可以用于调制解调器、收发器等关键组件中，确保信号传输的可靠性和准确性。 5. 工业自动化：在工业控制系统中，DMG263010R可用于驱动各种执行机构，如电机、电磁阀等。其坚固耐用的设计和优异的电气性能使得它能够在恶劣环境下长期稳定工作。 总之，DMG263010R凭借其独特的预偏置设计和卓越的性能参数，广泛适用于需要高精度、低噪声和稳定性的电子设备中，涵盖消费电子、工业控制、通信等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP MINI5开关晶体管 - 偏压电阻器 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Panasonic Electronic Components - Semiconductor ProductsPanasonic |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Panasonic DMG263010R- |
| 数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+AJC7003+DMG26301+8+WW |
| 产品型号 | DMG263010RDMG263010R |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 迷你型5-G3-B |
| 其它名称 | DMG263010RDKR |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Panasonic |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74A，SOT-753 |
| 封装/箱体 | Mini5-G3-B |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 频率-跃迁 | - |
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