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  • 型号: DMG1029SV-7
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMG1029SV-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG1029SV-7价格参考。Diodes Inc.DMG1029SV-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMG1029SV-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMG1029SV-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 60V SOT563MOSFET 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

500 mA

Id-连续漏极电流

500 mA

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG1029SV-7-

数据手册

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产品型号

DMG1029SV-7

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

0.45 W, 1 W

Pd-功率耗散

450 mW

Qg-GateCharge

0.3 nC, 0.28 nC

Qg-栅极电荷

0.3 nC, 0.28 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

4 Ohms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

+/- 60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.5 V

上升时间

3.4 ns, 7.9 ns

下降时间

9.9 ns, 11.6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

30pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.3nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.7 欧姆 @ 500mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-563

其它名称

DMG1029SV-7DITR
DMG1029SV7

典型关闭延迟时间

15.7 ns, 10.6 ns

功率-最大值

450mW

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

4 Ohms

封装

Reel

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

封装/箱体

SOT-563-6

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

80 mS, 50 mS

汲极/源极击穿电压

+/- 60 V

漏极连续电流

500 mA

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

500mA, 360mA

系列

DMG1029SV

通道模式

Enhancement

配置

Complementary

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