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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG1029SV-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG1029SV-7价格参考。Diodes Inc.DMG1029SV-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMG1029SV-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMG1029SV-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N/P-CH 60V SOT563MOSFET 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 500 mA |
Id-连续漏极电流 | 500 mA |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG1029SV-7- |
数据手册 | |
产品型号 | DMG1029SV-7 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 0.45 W, 1 W |
Pd-功率耗散 | 450 mW |
Qg-GateCharge | 0.3 nC, 0.28 nC |
Qg-栅极电荷 | 0.3 nC, 0.28 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4 Ohms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
上升时间 | 3.4 ns, 7.9 ns |
下降时间 | 9.9 ns, 11.6 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 30pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.3nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.7 欧姆 @ 500mA,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-563 |
其它名称 | DMG1029SV-7DITR |
典型关闭延迟时间 | 15.7 ns, 10.6 ns |
功率-最大值 | 450mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 4 Ohms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SOT-563-6 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 80 mS, 50 mS |
汲极/源极击穿电压 | +/- 60 V |
漏极连续电流 | 500 mA |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 500mA, 360mA |
系列 | DMG1029SV |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Complementary |