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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG1023UV-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG1023UV-7价格参考。Diodes Inc.DMG1023UV-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMG1023UV-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMG1023UV-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563MOSFET MOSFET P-CHANNEL |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.03 A |
Id-连续漏极电流 | 1.03 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG1023UV-7- |
数据手册 | |
产品型号 | DMG1023UV-7 |
Pd-PowerDissipation | 530 mW |
Pd-功率耗散 | 530 mW |
Qg-GateCharge | 622.4 pC |
Qg-栅极电荷 | 622.4 pC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 6 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 6 V |
上升时间 | 8.1 ns |
下降时间 | 20.7 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 59.76pF @ 16V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.62nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 750 毫欧 @ 430mA,4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-563 |
其它名称 | DMG1023UV-7DICT |
典型关闭延迟时间 | 28.4 ns |
功率-最大值 | 530mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SOT-563-6 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 0.9 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.03A |
系列 | DMG1023UV |
配置 | Dual |