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Datasheet下载- 型号： DMG1016V-7
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG1016V-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG1016V-7价格参考。Diodes Inc.DMG1016V-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 870mA，640mA 530mW 表面贴装 SOT-563。您可以下载DMG1016V-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMG1016V-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMG1016V-7是一款晶体管阵列，属于FET（场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号的应用场景广泛，尤其适用于需要多通道开关控制和信号处理的电路设计中。 主要应用场景： 1. 电源管理： - DMG1016V-7可用于各种电源管理应用，如电池管理系统、DC-DC转换器等。其低导通电阻和高开关速度使其在高效电源转换和电压调节方面表现出色。 2. 负载开关： - 在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和其他手持设备，DMG1016V-7可以作为负载开关，用于控制不同负载的供电路径，确保系统在待机或关机状态下消耗极低的电流。 3. 电机驱动： - 该器件适用于小型电机驱动电路，如步进电机、直流电机等。通过精确控制电流和电压，能够实现电机的平稳启动、停止和调速，同时提高系统的响应速度和效率。 4. 信号切换： - 在通信设备和数据传输系统中，DMG1016V-7可以用作信号切换元件，实现不同信号路径之间的快速切换，确保信号的完整性和可靠性。 5. 保护电路： - DMG1016V-7还可以用于过流保护、短路保护等保护电路中。其内置的限流功能和快速响应特性，能够在异常情况下迅速切断电流，保护后续电路免受损坏。 6. 消费电子： - 在消费电子产品中，如音频设备、智能家居控制器等，DMG1016V-7可以用于控制多个外设或传感器的供电，简化电路设计并提高系统的集成度。 总结： DMG1016V-7凭借其出色的性能和多功能性，广泛应用于电源管理、负载开关、电机驱动、信号切换、保护电路以及消费电子等领域。它不仅能够提供高效的开关控制，还能显著提升系统的可靠性和稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V SOT563MOSFET MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563 |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 870 mA |
| Id-连续漏极电流 | 870 mA, 640 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG1016V-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMG1016V-7 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 530 mW |
| Pd-功率耗散 | 530 mW |
| Qg-GateCharge | 736.6 pC, 622.4 pC |
| Qg-栅极电荷 | 736.6 pC, 622.4 pC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 0.7 Ohms, 1.3 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V, 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 6 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 6 V |
| 上升时间 | 7.4 nS, 8.1 nS |
| 下降时间 | 12.3 ns, 20.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 60.67pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.74nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 400 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | DMG1016V-7DICT |
| 典型关闭延迟时间 | 26.7 nS, 28.4 nS |
| 功率-最大值 | 530mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.4 S, - 0.9 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 870mA，640mA |
| 系列 | DMG1016 |
| 配置 | Dual |
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