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  • 型号: DMG1016UDW-7
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMG1016UDW-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG1016UDW-7价格参考¥0.41-¥0.54。Diodes Inc.DMG1016UDW-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 1.07A,845mA 330mW 表面贴装 SOT-363。您可以下载DMG1016UDW-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMG1016UDW-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N/P-CH 20V SOT363MOSFET 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

1.066 A

Id-连续漏极电流

1066 mA, 845 mA

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG1016UDW-7-

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产品型号

DMG1016UDW-7

PCN其它

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

330 mW

Pd-功率耗散

330 mW

RdsOn-漏源导通电阻

0.75 Ohms, 1.05 Ohms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V, 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 6 V

Vgs-栅源极击穿电压

6 V

上升时间

7.4 ns

下降时间

12.3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

60.67pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.74nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

450 毫欧 @ 600mA,4.5V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-363

其它名称

DMG1016UDW-7DIDKR

典型关闭延迟时间

26.7 ns

功率-最大值

330mW

包装

Digi-Reel®

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.07A,845mA

系列

DMG1016

通道模式

Enhancement

配置

Complementary

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