【晶体管 - FET，MOSFET - 阵列_DMG1016UDW-7】封装/厂家_DMG1016UDW-7中文资料_价格

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型号： DMG1016UDW-7
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供DMG1016UDW-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG1016UDW-7价格参考￥0.41-￥0.54。Diodes Inc.DMG1016UDW-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 1.07A，845mA 330mW 表面贴装 SOT-363。您可以下载DMG1016UDW-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMG1016UDW-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated的DMG1016UDW-7是一款晶体管阵列，属于FET（场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。这款器件具有多个MOSFET集成在一个封装内，适用于多种应用场景，特别是在需要多个开关或驱动功能的电路中。

 主要应用场景：

1. 电源管理：
   DMG1016UDW-7可以用于各种电源管理应用，例如DC-DC转换器、线性稳压器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率，减少功率损耗。在电池供电设备中，该器件能够有效管理电源分配，延长电池寿命。

2. 负载切换：
   在消费电子、工业控制等领域，负载切换是一个常见的需求。DMG1016UDW-7可以通过外部信号控制多个负载的开启和关闭，适用于USB端口保护、电机控制等场景。它能够快速响应并提供可靠的切换性能。

3. 电机驱动：
   该器件适合用于小型电机驱动，如步进电机、直流电机等。它可以作为H桥电路的一部分，实现电机的正反转控制。由于其低功耗和高可靠性，特别适合便携式设备中的电机控制应用。

4. 信号调理与保护：
   在通信设备、传感器接口等应用中，DMG1016UDW-7可用于信号路径的开关和保护。它可以防止过电流、过电压等异常情况对敏感电路造成损害。此外，它还可以用于热插拔保护，确保系统在插入或移除模块时的安全性。

5. 多通道控制：
   由于DMG1016UDW-7集成了多个MOSFET，因此非常适合需要多通道控制的应用，如LED驱动、音频放大器中的音量控制等。每个MOSFET可以独立控制不同的通道，简化了电路设计并提高了系统的集成度。

 总结：
DMG1016UDW-7凭借其紧凑的封装、低导通电阻和高可靠性，广泛应用于电源管理、负载切换、电机驱动、信号调理与保护以及多通道控制等场景。它特别适合那些对空间要求严格、需要高效能和可靠性的应用场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N/P-CH 20V SOT363MOSFET 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	N 和 P 沟道
Id-ContinuousDrainCurrent	1.066 A
Id-连续漏极电流	1066 mA, 845 mA
品牌	Diodes Incorporated
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG1016UDW-7-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	DMG1016UDW-7
PCN其它	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	330 mW
Pd-功率耗散	330 mW
RdsOn-漏源导通电阻	0.75 Ohms, 1.05 Ohms
RoHS指令信息	http://diodes.com/download/4349
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	20 V, 20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 6 V
Vgs-栅源极击穿电压	6 V
上升时间	7.4 ns
下降时间	12.3 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	60.67pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	0.74nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	450 毫欧 @ 600mA，4.5V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	SOT-363
其它名称	DMG1016UDW-7DIDKR
典型关闭延迟时间	26.7 ns
功率-最大值	330mW
包装	Digi-Reel®
商标	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装/箱体	SOT-363-6
晶体管极性	N and P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	1.07A，845mA
系列	DMG1016
通道模式	Enhancement
配置	Complementary

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