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  • 型号: DMC4040SSD-13
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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DMC4040SSD-13产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMC4040SSD-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMC4040SSD-13价格参考。Diodes Inc.DMC4040SSD-13封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 40V 6.8A 1.8W 表面贴装 8-SO。您可以下载DMC4040SSD-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMC4040SSD-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOMOSFET MOSFET COMP NPN

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

7.5 A

Id-连续漏极电流

7.5 A, 7.5 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMC4040SSD-13-

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产品型号

DMC4040SSD-13

PCN设计/规格

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RdsOn-漏源导通电阻

0.04 Ohms, 0.045 Ohms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

+/- 40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V, 40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

15.1 ns

下降时间

5.3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.8V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1790pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

37.6nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

25 毫欧 @ 3A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

DMC4040SSD-13DKR

典型关闭延迟时间

24.3 ns

功率-最大值

1.8W

包装

Digi-Reel®

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

+/- 40 V

漏极连续电流

7.5 A

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.8A

系列

DMC4040SSD

通道模式

Enhancement

配置

Complementary

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