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Datasheet下载- 型号： DMC3028LSD-13
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMC3028LSD-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMC3028LSD-13价格参考。Diodes Inc.DMC3028LSD-13封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 6.6A，6.8A 1.8W 表面贴装 8-SO。您可以下载DMC3028LSD-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMC3028LSD-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMC3028LSD-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列器件。它是一种双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理和信号切换应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： DMC3028LSD-13 可用于 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理等电路中。它的低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高效率，特别适合便携式设备和低功耗系统。 2. 电机驱动： 该器件可用于小型直流电机的驱动电路中，提供高效的开关控制。其快速开关特性和耐热增强封装使其能够承受电机启动和运行时的电流波动。 3. 信号切换： 在音频、视频或数据信号切换应用中，DMC3028LSD-13 可作为模拟开关使用。其低导通电阻和低电容特性可确保信号完整性，同时减少失真和延迟。 4. 保护电路： 它可以用于过流保护、短路保护和反向电压保护电路中。通过快速响应和低功耗特性，该器件能够有效保护下游电路免受异常情况的影响。 5. 消费电子： 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他消费电子产品中，DMC3028LSD-13 可用于 USB 端口保护、充电电路和外围设备接口控制。 6. 工业应用： 在工业自动化和控制系统中，该器件可用于传感器信号切换、继电器替代和小型执行器驱动等场景。 7. 汽车电子： 尽管 DMC3028LSD-13 并未专门标注为车规级产品，但在非关键性汽车应用中（如车内照明、娱乐系统和辅助功能），它也可以发挥作用。 总之，DMC3028LSD-13 凭借其高性能和紧凑封装，非常适合需要高效开关和低功耗的各类应用，尤其是在消费电子、通信设备和工业控制领域中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SOMOSFET MOSFET SOP-8L |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.1 A, 7.4 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMC3028LSD-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMC3028LSD-13 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| Qg-GateCharge | 5.2 nC, 16.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5.2 nC, 16.4 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 0.045 Ohms, 0.041 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V, 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 3.1 nS, 4.9 nS |
| 下降时间 | 9.7 ns, 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 472pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 28 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | DMC3028LSD-13DITR |
| 典型关闭延迟时间 | 14 nS, 44 nS |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 12 S, 18.6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.6A, 6.8A |
| 系列 | DMC3028L |
| 配置 | Complementary |
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