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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMC3028LSD-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMC3028LSD-13价格参考。Diodes Inc.DMC3028LSD-13封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 6.6A,6.8A 1.8W 表面贴装 8-SO。您可以下载DMC3028LSD-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMC3028LSD-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SOMOSFET MOSFET SOP-8L |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 7.1 A |
Id-连续漏极电流 | 7.1 A, 7.4 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMC3028LSD-13- |
数据手册 | |
产品型号 | DMC3028LSD-13 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
Pd-功率耗散 | 1.3 W |
Qg-GateCharge | 5.2 nC, 16.4 nC |
Qg-栅极电荷 | 5.2 nC, 16.4 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 0.045 Ohms, 0.041 Ohms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V, 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 3.1 nS, 4.9 nS |
下降时间 | 9.7 ns, 28 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 472pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 28 毫欧 @ 6A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | DMC3028LSD-13DITR |
典型关闭延迟时间 | 14 nS, 44 nS |
功率-最大值 | 1.8W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
正向跨导-最小值 | 12 S, 18.6 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.6A, 6.8A |
系列 | DMC3028L |
配置 | Complementary |