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  • 型号: DMC2990UDJ-7
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMC2990UDJ-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMC2990UDJ-7价格参考。Diodes Inc.DMC2990UDJ-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 450mA,310mA 350mW 表面贴装 SOT-963。您可以下载DMC2990UDJ-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMC2990UDJ-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 20V SOT963MOSFET MOSFET BVDSS

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

450 mA

Id-连续漏极电流

450 mA

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMC2990UDJ-7-

数据手册

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产品型号

DMC2990UDJ-7

Pd-PowerDissipation

350 mW

Pd-功率耗散

350 mW

Qg-GateCharge

0.4 nC, 0.5 nC

Qg-栅极电荷

0.4 nC, 0.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.9 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.9 Ohms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

+/- 1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

+/- 1 V

上升时间

3.3 ns, 5.7 ns

下降时间

6.4 ns, 16.4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

27.6pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

990 毫欧 @ 100mA,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-963

其它名称

DMC2990UDJ-7DIDKR

典型关闭延迟时间

19 ns, 31.1 ns

功率-最大值

350mW

包装

Digi-Reel®

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-963

封装/箱体

SOT-963-6

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

180 mS, 100 mS

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

450mA,310mA

系列

DMC2990

通道模式

Enhancement

配置

Complementary

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