ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > DMC2640F0R
Datasheet下载- 型号： DMC2640F0R
- 制造商： Panasonic Corporation
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMC2640F0R由Panasonic Corporation设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMC2640F0R价格参考。Panasonic CorporationDMC2640F0R封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount Mini6-G4-B。您可以下载DMC2640F0R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMC2640F0R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Panasonic Electronic Components的DMC2640F0R是一款双极晶体管（BJT）阵列，具有预偏置特性。这款器件主要应用于需要高精度、低噪声和稳定性能的电路设计中。以下是其具体应用场景： 1. 音频放大器：在音频设备中，如音响系统、耳机放大器等，DMC2640F0R可以提供高质量的信号放大，确保音频输出清晰、无失真。预偏置功能有助于减少交越失真，提高音质表现。 2. 传感器信号调理：在传感器应用中，特别是微弱信号的放大和处理，DMC2640F0R能够精确地放大传感器输出的微小电压变化，同时保持低噪声水平，适用于温度传感器、压力传感器等精密测量设备。 3. 模拟电路设计：该器件可用于构建各种模拟电路，如运算放大器、比较器、振荡器等。其稳定的电流增益和低噪声特性使得它非常适合用于对精度要求较高的模拟信号处理电路。 4. 电源管理：在一些电源管理系统中，DMC2640F0R可以用作开关元件或线性稳压器中的关键组件，帮助实现高效的电压调节和电流控制，特别适用于便携式电子设备和电池供电系统。 5. 工业自动化与控制系统：在工业环境中，DMC2640F0R可以集成到PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器等设备中，用于执行复杂的控制任务，如电机驱动、位置反馈等。其高可靠性和稳定性确保了系统的长期运行。 6. 医疗设备：在医疗仪器中，如心电图机、超声波诊断仪等，DMC2640F0R能够提供精确的信号放大和处理，确保检测结果的准确性，满足医疗行业的严格标准。 总之，DMC2640F0R凭借其优异的电气特性和预偏置设计，在多种高性能电子设备中发挥着重要作用，广泛应用于消费电子、工业控制、医疗设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6开关晶体管 - 偏压电阻器 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | PanasonicPanasonic Electronic Components - Semiconductor Products |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Panasonic DMC2640F0R- |
| 数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+BFA7001+DMC2640F+8+WW |
| 产品型号 | DMC2640F0RDMC2640F0R |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 迷你型6-G4-B |
| 其它名称 | DMC2640F0RTR |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Panasonic |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 封装/箱体 | Mini6-G4-B |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | - |
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