ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > DMC264040R
Datasheet下载- 型号： DMC264040R
- 制造商： Panasonic Corporation
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMC264040R由Panasonic Corporation设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMC264040R价格参考。Panasonic CorporationDMC264040R封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount Mini6-G4-B。您可以下载DMC264040R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMC264040R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Panasonic Electronic Components 的 DMC264040R 是一款双极晶体管（BJT）阵列，预偏置类型。该器件主要用于需要多个晶体管协同工作的应用场景，尤其适合于对空间要求严格、需要高可靠性和稳定性的电路设计。 应用场景 1. 信号放大与处理： - 在音频设备中，DMC264040R 可用于多通道音频信号的放大和处理。其预偏置特性确保了每个晶体管在工作时具有稳定的偏置点，从而减少了失真，提高了音质。 2. 开关应用： - 该器件适用于各种开关电路，如电源管理、电机控制等。通过多个晶体管的协同工作，可以实现更高效的开关操作，减少能耗并提高系统的响应速度。 3. 传感器接口电路： - 在传感器接口电路中，DMC264040R 可以用来放大传感器输出的微弱信号，确保信号能够被后续电路准确处理。其预偏置特性有助于保持信号的线性度和稳定性。 4. 通信设备： - 在通信设备中，该器件可用于射频（RF）信号的放大和调制。其低噪声特性和高增益使得它在高频应用中表现出色，能够有效提升通信质量。 5. 工业自动化： - 在工业自动化控制系统中，DMC264040R 可用于驱动执行器、继电器等负载。其多个晶体管的阵列结构允许同时控制多个负载，简化了电路设计，减少了元件数量。 6. 消费电子产品： - 在消费电子产品中，如智能家电、便携式设备等，该器件可用于电源管理、信号调理等任务。其紧凑的封装形式和预偏置特性使其非常适合这些对体积和功耗有严格要求的应用。 总结 DMC264040R 凭借其预偏置特性和多晶体管阵列结构，广泛应用于信号放大、开关控制、传感器接口、通信设备、工业自动化以及消费电子产品等领域。其稳定性和可靠性使得它成为许多高性能电路设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6开关晶体管 - 偏压电阻器 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | PanasonicPanasonic Electronic Components - Semiconductor Products |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Panasonic DMC264040R- |
| 数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+BFA7001+DMC26404+8+WW |
| 产品型号 | DMC264040RDMC264040R |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 迷你型6-G4-B |
| 其它名称 | DMC264040RTR |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Panasonic |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 封装/箱体 | Mini6-G4-B |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | - |
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