ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > DMC264000R
Datasheet下载- 型号： DMC264000R
- 制造商： Panasonic Corporation
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMC264000R由Panasonic Corporation设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMC264000R价格参考。Panasonic CorporationDMC264000R封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount Mini6-G4-B。您可以下载DMC264000R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMC264000R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Panasonic Electronic Components 的 DMC264000R 是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置的产品，广泛应用于需要高精度、低噪声和快速响应的电路中。这款器件具有多个预偏置的双极晶体管阵列，适用于以下应用场景： 1. 模拟信号处理：DMC264000R 适合用于音频放大器、滤波器和其他模拟信号处理电路。其低噪声特性和高增益使其能够提供高质量的音频输出，特别适用于高端音响设备和专业音频设备。 2. 电源管理：在电源管理系统中，DMC264000R 可用于稳压器、开关电源等场合。其预偏置特性有助于简化电路设计，减少外部元件数量，提高系统的稳定性和可靠性。 3. 传感器接口：该器件可以作为传感器信号调理电路中的关键组件，用于放大和处理来自温度、压力、加速度等传感器的微弱信号。其高精度和低噪声特性确保了传感器数据的准确性和可靠性。 4. 工业自动化：在工业控制系统中，DMC264000R 可用于驱动继电器、电机等执行机构。其强大的电流驱动能力和快速响应速度使得它能够在复杂的工业环境中稳定工作。 5. 通信设备：在无线通信和有线通信设备中，DMC264000R 可用于射频前端模块、中频放大器等电路。其宽频带和低失真特性有助于提高通信质量，减少信号干扰。 6. 消费电子产品：如智能手机、平板电脑等便携式设备中，DMC264000R 可用于音频放大、电源管理等模块。其小型化封装和高效能表现使得它非常适合应用于对空间和功耗要求严格的消费电子产品。 总之，DMC264000R 凭借其优异的性能和广泛的适用性，在多个领域都有着重要的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6开关晶体管 - 偏压电阻器 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | PanasonicPanasonic Electronic Components - Semiconductor Products |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Panasonic DMC264000R- |
| 数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+BFA7001+DMC26400+8+WW |
| 产品型号 | DMC264000RDMC264000R |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 迷你型6-G4-B |
| 其它名称 | DMC264000RDKR |
| 典型输入电阻器 | 47 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Panasonic |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 封装/箱体 | Mini6-G4-B |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | - |
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