ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > DMC2400UV-7
Datasheet下载- 型号： DMC2400UV-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMC2400UV-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMC2400UV-7价格参考￥0.34-￥0.42。Diodes Inc.DMC2400UV-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 1.03A，700mA 450mW 表面贴装 SOT-563。您可以下载DMC2400UV-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMC2400UV-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V SOT563MOSFET 20V N P Ch 20VDSS 0.45W Low RDSon |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-连续漏极电流 | 1.15 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMC2400UV-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMC2400UV-7 |
| Pd-PowerDissipation | 0.45 W, 1 W |
| Pd-功率耗散 | 450 mW |
| Qg-GateCharge | 0.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.5 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V, +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V, 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.9 V, - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.9 V, - 1 V |
| 上升时间 | 4.3 ns, 7.28 ns |
| 下降时间 | 10.54 ns, 19.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 37.1pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 480 毫欧 @ 200mA，5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | DMC2400UV-7DIDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 13.74 ns, 20.2 ns |
| 功率-最大值 | 450mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 5 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.7 S , 1.4 S |
| 汲极/源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 漏极连续电流 | 1.15 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.03A，700mA |
| 系列 | DMC2400UV |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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