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Datasheet下载- 型号： DMB53D0UDW-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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DMB53D0UDW-7产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMB53D0UDW-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMB53D0UDW-7价格参考。Diodes Inc.DMB53D0UDW-7封装/规格：晶体管 - 特殊用途， Transistor General Purpose NPN, N-Channel 45V NPN, 50V N-Channel 100mA PNP, 160mA N-Channel Surface Mount SOT-363。您可以下载DMB53D0UDW-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMB53D0UDW-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET NMOS+NPN TRANS SOT-363MOSFET N-CHANNEL NPN ENHANCEMENT MODE |
| 产品分类 | 晶体管 - 专用型分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 160 mA |
| Id-连续漏极电流 | 160 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMB53D0UDW-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMB53D0UDW-7 |
| Pd-PowerDissipation | 250 mW |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | DMB53D0UDWDICT |
| 其它图纸 |
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| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 5 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | NPN，N 通道 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 50 V |
| 漏极连续电流 | 160 mA |
| 电压-额定 | 45V NPN，50V N 通道 |
| 系列 | DMB53D |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 额定电流 | 100mA PNP，160mA N 通道 |
