Datasheet下载- 型号： DEHR33F221KC3B
- 制造商： Murata
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
DEHR33F221KC3B产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DEHR33F221KC3B由Murata设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DEHR33F221KC3B价格参考。MurataDEHR33F221KC3B封装/规格：陶瓷电容器， 220pF ±10% 3150V（3.15kV） 陶瓷电容器 R 径向，圆片式。您可以下载DEHR33F221KC3B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DEHR33F221KC3B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | CAP CER 220PF 3.15KV 10% RADIAL瓷片电容器 220pF 3150volts R 10% |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Murata Electronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 陶瓷电容器,瓷片电容器,Murata Electronics DEHR33F221KC3BDEH |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DEHR33F221KC3B |
| 产品 | Ceramic Disc Capacitors |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 瓷片电容器 |
| 其它名称 | 490-4134 |
| 包装 | 散装 |
| 厚度（最大值） | - |
| 商标 | Murata Electronics |
| 外壳直径 | 7 mm |
| 大小/尺寸 | 0.276" 直径（7.00mm） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | 10 % |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | 径向，圆盘 |
| 工作温度 | -25°C ~ 125°C |
| 工作温度范围 | - 25 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 250 |
| 应用 | General Purpose |
| 引线形式 | 直形 |
| 引线间距 | 0.295"（7.50mm） |
| 引线间隔 | 7.5 mm |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 25 C |
| 标准包装 | 250 |
| 温度系数 | +/- 15 % |
| 温度系数/代码 | X7R |
| 特性 | 高电压，低耗散因子 |
| 电介质 | R |
| 电压-额定 | 3150V（3.15kV） |
| 电压额定值 | 3.15 kV |
| 电压额定值DC | 3 kV |
| 电容 | 220 pF |
| 端接类型 | Radial |
| 等级 | - |
| 类型 | High Voltage Ceramic Disc Capacitors, Low Dissipation |
| 系列 | DEH |
| 高度-安装（最大值） | 0.394"（10.00mm） |
- 商务部:美国ITC正式对集成电路等产品启动337调查
- 曝三星4nm工艺存在良率问题 高通将骁龙8 Gen1或转产台积电
- 太阳诱电将投资9.5亿元在常州建新厂生产MLCC 预计2023年完工
- 英特尔发布欧洲新工厂建设计划 深化IDM 2.0 战略
- 台积电先进制程称霸业界 有大客户加持明年业绩稳了
- 达到5530亿美元！SIA预计今年全球半导体销售额将创下新高
- 英特尔拟将自动驾驶子公司Mobileye上市 估值或超500亿美元
- 三星加码芯片和SET，合并消费电子和移动部门，撤换高东真等 CEO
- 三星电子宣布重大人事变动 还合并消费电子和移动部门
- 海关总署：前11个月进口集成电路产品价值2.52万亿元 增长14.8%
