ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 > DDTC143EUA-7-F
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DDTC143EUA-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTC143EUA-7-F价格参考。Diodes Inc.DDTC143EUA-7-F封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323。您可以下载DDTC143EUA-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DDTC143EUA-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DDTC143EUA-7-F是一款预偏置的双极晶体管(BJT),主要应用于需要高精度、稳定性和可靠性的电路中。以下是该型号晶体管的一些典型应用场景: 1. 电源管理:DDTC143EUA-7-F可以用于各种电源管理电路,如线性稳压器和开关模式电源(SMPS)。其预偏置特性有助于确保在启动和运行过程中保持稳定的输出电压,从而提高电源系统的效率和可靠性。 2. 音频放大器:在音频设备中,该晶体管可以用于前置放大器或功率放大器的输入级。预偏置功能有助于减少失真,提供更纯净的音频信号,适用于高品质音响设备、耳机放大器等。 3. 传感器接口:在工业自动化和物联网(IoT)应用中,DDTC143EUA-7-F可用于传感器信号调理电路。它能够将微弱的传感器信号放大并转换为适合后续处理的电平,同时保持低噪声和高稳定性。 4. 电机驱动:对于小型直流电机或步进电机的驱动电路,该晶体管可以作为开关元件,控制电机的启停和转速。预偏置特性有助于实现精确的电流控制,确保电机平稳运行。 5. 通信设备:在无线通信模块或有线通信设备中,DDTC143EUA-7-F可用于射频(RF)前端电路,如低噪声放大器(LNA)或混频器。其低噪声和高增益特性有助于提高信号质量和传输距离。 6. 医疗电子:在便携式医疗设备如心率监测仪、血糖仪等中,该晶体管可以用于信号采集和处理电路。预偏置功能确保了测量结果的准确性和一致性,提高了设备的可靠性。 7. 消费电子产品:在智能手机、平板电脑等消费电子产品中,DDTC143EUA-7-F可用于电池管理、充电电路和音频放大等模块,提供高效、稳定的性能。 总之,DDTC143EUA-7-F凭借其预偏置特性和高性能参数,在多种电子设备和系统中都能发挥重要作用,特别是在需要高精度和稳定性的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 4.7K |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Diodes Incorporated DDTC143EUA-7-F- |
数据手册 | |
产品型号 | DDTC143EUA-7-F |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20 @ 10mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | Transistor - Array |
供应商器件封装 | SOT-323 |
其它名称 | DDTC143EUA-FDIDKR |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | SOT-323-3 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
系列 | DDTC143E |
配置 | Single |
频率-跃迁 | 250MHz |