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  • 型号: DDTC122LE-7
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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DDTC122LE-7产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DDTC122LE-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTC122LE-7价格参考。Diodes Inc.DDTC122LE-7封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 200MHz 150mW 表面贴装 SOT-523。您可以下载DDTC122LE-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DDTC122LE-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

Diodes/ZetexDiodes Incorporated

数据手册

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产品图片

产品型号

DDTC122LE-7DDTC122LE-7

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

--

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 250µA, 5mA300mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

56 @ 10mA,5V56 @ 10mA,5V

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供应商器件封装

SOT-523SOT-523

其它名称

DDTC122LEDICT
DDTC122LE7

功率-最大值

150mW150mW

包装

带卷 (TR)剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装表面贴装

封装/外壳

SOT-523SOT-523

晶体管类型

NPN - 预偏压NPN - 预偏压

标准包装

13,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

220220

频率-跃迁

200MHz200MHz

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