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Datasheet下载- 型号： DDTC114TE-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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DDTC114TE-7-F产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DDTC114TE-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTC114TE-7-F价格参考。Diodes Inc.DDTC114TE-7-F封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 。您可以下载DDTC114TE-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DDTC114TE-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523开关晶体管 - 偏压电阻器 150MW 10K |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Diodes Incorporated DDTC114TE-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DDTC114TE-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 100µA， 1mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-523 |
| 其它名称 | DDTC114TE-FDITR |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-523 |
| 封装/箱体 | SOT-523-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | DDTC114T |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
