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  • 型号: DDTC114EUA-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DDTC114EUA-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTC114EUA-7-F价格参考。Diodes Inc.DDTC114EUA-7-F封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323。您可以下载DDTC114EUA-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DDTC114EUA-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323开关晶体管 - 偏压电阻器 PRE-BIAS NPN 200mW

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Diodes Incorporated DDTC114EUA-7-F-

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产品型号

DDTC114EUA-7-F

PCN设计/规格

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 5mA,5V

产品目录绘图

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产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

DDTC114EUA-FDICT

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

10 kOhms

功率-最大值

200mW

功率耗散

0.2 W

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

直流集电极/BaseGainhfeMin

30

系列

DDTC114E

配置

Single

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

250MHz

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