ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > DDTC114EUA-7-F
Datasheet下载- 型号： DDTC114EUA-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DDTC114EUA-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTC114EUA-7-F价格参考。Diodes Inc.DDTC114EUA-7-F封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323。您可以下载DDTC114EUA-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DDTC114EUA-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DDTC114EUA-7-F是一款预偏置的双极晶体管（BJT），属于单晶体管类型。这款器件在多个应用场景中表现出色，尤其适合于需要高精度、稳定性和低功耗的电路设计。 应用场景： 1. 电源管理： DDTC114EUA-7-F可用于各种电源管理系统中，例如线性稳压器和开关模式电源（SMPS）。其预偏置特性使得它在启动和关闭过程中能够提供更稳定的电流控制，从而提高电源效率并减少瞬态响应时间。 2. 音频放大器： 在音频设备中，如耳机放大器、音响系统等，该晶体管可以用于信号放大。由于其低噪声特性和高增益稳定性，能够确保音频信号的高质量传输，减少失真，提升音质表现。 3. 传感器接口电路： 该晶体管适用于与传感器接口的电路设计，特别是在温度、压力或光传感器的应用中。它可以帮助将微弱的传感器信号进行放大，并通过预偏置功能实现更好的线性度和灵敏度。 4. 工业控制系统： 在工业自动化和控制系统中，DDTC114EUA-7-F可以用于驱动继电器、电磁阀或其他执行机构。其预偏置特性有助于确保这些元件在不同工作条件下的可靠运行，同时降低功耗。 5. 消费电子设备： 在智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品中，这款晶体管可以用于背光驱动、电池充电管理和信号调理等任务。它的紧凑封装和低功耗特性使其非常适合小型化和节能要求高的产品。 6. 通信设备： 在无线通信模块和有线通信设备中，该晶体管可用于射频（RF）前端电路、信号调制解调以及数据传输路径中的信号增强。预偏置功能有助于优化通信链路的质量和可靠性。 总之，DDTC114EUA-7-F凭借其预偏置特性、高精度和低功耗的优势，在众多领域中都有广泛的应用前景，特别是在对性能和可靠性要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323开关晶体管 - 偏压电阻器 PRE-BIAS NPN 200mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Diodes Incorporated DDTC114EUA-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DDTC114EUA-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | DDTC114EUA-FDICT |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 0.2 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 系列 | DDTC114E |
| 配置 | Single |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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