ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > DDTC113ZE-7-F
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详细数据请看参考数据手册
- 型号： DDTC113ZE-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DDTC113ZE-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTC113ZE-7-F价格参考。Diodes Inc.DDTC113ZE-7-F封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-523。您可以下载DDTC113ZE-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DDTC113ZE-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DDTC113ZE-7-F是一款预偏置的单个双极晶体管（BJT），广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高效、可靠电流放大的场景。以下是一些典型的应用场景： 1. 电源管理 在电源管理系统中，DDTC113ZE-7-F可以用于电压调节器、线性稳压器等电路。它能够有效地放大微弱的输入信号，确保输出电压的稳定性和精度。此外，该晶体管还可以用于过流保护和短路保护电路，确保电源系统的安全运行。 2. 音频放大 在音频设备中，如扬声器驱动、耳机放大器等，DDTC113ZE-7-F可以作为功率放大级的一部分。它的高增益和低噪声特性使得它能够在不失真的情况下放大音频信号，提供清晰的声音输出。预偏置的设计也简化了电路设计，减少了外部元件的需求。 3. 开关应用 DDTC113ZE-7-F适用于各种开关应用，例如继电器驱动、LED驱动等。它可以在饱和区和截止区之间快速切换，实现高效的开关控制。预偏置功能有助于提高开关速度，减少开关损耗，延长器件寿命。 4. 传感器信号调理 在传感器信号调理电路中，DDTC113ZE-7-F可以用于放大微弱的传感器输出信号。例如，在温度传感器、压力传感器等应用中，该晶体管能够将传感器的微小变化转换为易于处理的电信号，进一步传递给后续的处理单元。 5. 通信设备 在通信设备中，如无线发射器、接收器等，DDTC113ZE-7-F可以用于射频（RF）信号的放大和调制。其宽频率响应范围和良好的线性度使其成为高频通信电路的理想选择。 6. 工业控制 在工业自动化和控制系统中，DDTC113ZE-7-F可以用于电机驱动、步进电机控制等场合。它能够承受较大的电流和电压波动，确保工业设备的稳定运行。预偏置设计还简化了电路调试，提高了系统的可靠性。 总之，DDTC113ZE-7-F凭借其预偏置特性、高增益和低噪声性能，广泛应用于电源管理、音频放大、开关控制、传感器信号调理、通信设备以及工业控制等领域，满足了多种复杂应用场景的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DDTC113ZE-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 33 @ 5mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SOT-523 |
| 其它名称 | DDTC113ZE-FDICT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-523 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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