Datasheet下载- 型号： DDTA114GUA-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DDTA114GUA-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTA114GUA-7-F价格参考。Diodes Inc.DDTA114GUA-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DDTA114GUA-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DDTA114GUA-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DDTA114GUA-7-F是一款预偏置的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号的应用场景主要集中在需要高可靠性、稳定性和精确电流控制的电路设计中。以下是其典型应用场景： 1. 信号放大 - DDTA114GUA-7-F适用于音频和射频信号的低噪声放大。由于其预偏置特性，能够提供稳定的增益性能，适合用于音频设备（如耳机放大器、麦克风前置放大器）或无线通信中的小信号放大。 2. 开关应用 - 在需要快速开关响应的电路中，该晶体管可以用作电子开关。例如，在继电器驱动、LED驱动或小型电机控制等场景中，它能实现高效且可靠的开关功能。 3. 电源管理 - 该晶体管可以用于线性稳压器或简单的电压调节电路中，帮助维持输出电压的稳定性。其预偏置设计简化了电路设计，减少了外部元件的需求。 4. 传感器接口 - 在传感器信号调理电路中，DDTA114GUA-7-F可用于放大微弱的传感器信号，例如温度传感器、压力传感器或光电二极管的输出信号。 5. 通信设备 - 该晶体管在低功率射频（RF）模块中有一定的应用价值，例如在调制解调器、收发器或其他无线通信设备中，作为信号放大或调制的组件。 6. 工业控制 - 在工业自动化领域，该晶体管可用于驱动小型执行器、电磁阀或光电耦合器等设备，确保可靠的操作。 特点总结： - 预偏置设计：简化了电路设计，降低了对外部偏置电路的需求。 - 高可靠性：适合长时间运行的工业和消费类电子产品。 - 宽工作温度范围：能够在严苛环境下保持性能稳定。 因此，DDTA114GUA-7-F广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域，满足对高性能和高可靠性的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 10K |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Diodes Incorporated DDTA114GUA-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DDTA114GUA-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | DDTA114GUA-FDICT |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 系列 | DDTA114G |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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