数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DDC113TU-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDC113TU-7-F价格参考。Diodes Inc.DDC113TU-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DDC113TU-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DDC113TU-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 1K |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Diodes Incorporated DDC113TU-7-F- |
数据手册 | |
产品型号 | DDC113TU-7-F |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
其它名称 | DDC113TU-7-F-ND |
典型输入电阻器 | 1 kOhms |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 150 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
系列 | DDC113T |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
频率-跃迁 | 250MHz |