ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > DDA114EU-7-F
Datasheet下载- 型号： DDA114EU-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DDA114EU-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDA114EU-7-F价格参考￥0.38-￥2.88。Diodes Inc.DDA114EU-7-F封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363。您可以下载DDA114EU-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DDA114EU-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DDA114EU-7-F是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置的产品，其应用场景非常广泛，特别是在需要高精度、低噪声和高效能的电路设计中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 音频放大器 DDA114EU-7-F在音频放大器中的应用非常普遍。由于其预偏置特性，能够确保晶体管在工作时保持稳定的偏置电压，从而减少失真并提高音频信号的质量。它适用于耳机放大器、音响系统、便携式音频设备等场景。 2. 电源管理 在电源管理电路中，DDA114EU-7-F可以用于稳压器、DC-DC转换器等场合。其低饱和电压和高电流驱动能力使其能够在电源管理模块中提供高效的电流控制，确保电源系统的稳定性和可靠性。 3. 工业自动化 在工业自动化领域，DDA114EU-7-F可用于驱动传感器、执行器和其他控制元件。它的高耐压能力和快速响应速度使得它能够在复杂的工业环境中稳定工作，特别适合于电机控制、伺服系统等应用。 4. 通信设备 在通信设备中，DDA114EU-7-F可以用于射频（RF）前端电路、信号调理电路等。其低噪声特性和宽频率响应范围使其成为高性能通信设备的理想选择，如基站、无线模块等。 5. 医疗设备 在医疗设备中，DDA114EU-7-F可以用于心电图机、超声波设备等精密仪器。其高精度和稳定性有助于确保医疗设备的测量结果准确可靠，同时其低功耗特性也有助于延长电池寿命。 6. 消费电子 在消费电子产品中，DDA114EU-7-F可以用于智能手机、平板电脑、智能手表等设备的电源管理和信号处理部分。其紧凑的封装形式和高效的性能使其非常适合应用于对空间和功耗要求较高的便携式设备。 总的来说，DDA114EU-7-F凭借其预偏置特性、高精度和低噪声等优势，在多种应用场景中都能发挥重要作用，特别是在需要高可靠性和高性能的电路设计中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL PNP 200mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Diodes Incorporated DDA114EU-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DDA114EU-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | DDA114EU-FDIDKR |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 0.2 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | DDA114E |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极连续电流 | - 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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