Datasheet下载- 型号： DDA114EK-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DDA114EK-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDA114EK-7-F价格参考。Diodes Inc.DDA114EK-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DDA114EK-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DDA114EK-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DDA114EK-7-F 是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置的产品，适用于多种电子电路设计场景。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 音频放大器 - 该 BJT 阵列可用于音频放大器的驱动级或输出级，提供高增益和低失真的性能。 - 预偏置特性使得其在音频信号处理中能够更稳定地工作，避免信号失真。 2. 开关电源 (SMPS) 控制电路 - 在开关电源的设计中，DDA114EK-7-F 可用于驱动功率 MOSFET 或 IGBT，实现高效的开关控制。 - 其预偏置功能有助于优化开关速度和效率，降低功耗。 3. 电机驱动 - 该器件适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，提供稳定的电流输出。 - 在 H 桥或半桥驱动电路中，它可以用作驱动级或缓冲级，确保电机运行平稳。 4. 信号放大与处理 - 在工业自动化、传感器信号调理等应用中，DDA114EK-7-F 可用作信号放大器，将微弱信号放大到可检测的范围。 - 预偏置设计使其在低噪声和高精度信号处理中表现出色。 5. 负载开关与保护电路 - 该 BJT 阵列可以用于设计负载开关，实现对负载的快速开启和关闭。 - 它还可用于过流保护、短路保护等电路中，提供可靠的安全保障。 6. 通信设备 - 在通信领域，DDA114EK-7-F 可用于射频 (RF) 前端电路中的低噪声放大器或驱动器。 - 其高性能和稳定性适合于无线通信模块、路由器和其他网络设备。 7. 消费电子产品 - 该器件广泛应用于家用电器（如电视机、音响、游戏机）的信号处理和功率管理部分。 - 在便携式设备中，它可用于电池管理、充电控制等场景。 总结 DDA114EK-7-F 的预偏置设计和高性能特性使其成为许多电子系统中的理想选择，尤其是在需要稳定电流输出、低失真和高效开关的应用中。其紧凑的封装形式也便于在空间受限的设计中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26开关晶体管 - 偏压电阻器 300MW 10KW 10KW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Diodes Incorporated DDA114EK-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DDA114EK-7-F |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-26 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SOT-26-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 系列 | DDA114E |
| 配置 | Dual |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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