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  • 型号: D45H11G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供D45H11G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 D45H11G价格参考。ON SemiconductorD45H11G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 10A 40MHz 2W 通孔 TO-220AB。您可以下载D45H11G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有D45H11G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的D45H11G是一款NPN型双极晶体管(BJT),主要应用于功率放大、开关控制以及线性调节等场景。其典型应用场景包括:

1. 电源管理:D45H11G常用于开关电源和线性稳压器中,作为电流放大或开关元件。它能够承受较高的电压和电流,适用于需要高可靠性和稳定性的电源设计。

2. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机驱动电路中,D45H11G可以作为驱动级,提供足够的电流来控制电机的启动、停止和调速。其低饱和电压特性有助于减少功耗,提高效率。

3. 音频放大:该晶体管也可用于音频功率放大器的设计,特别是在要求较高输出功率的应用中。它可以作为末级功率放大的一部分,提供足够的增益和驱动能力,确保音频信号的高质量传输。

4. 工业自动化:在工业控制系统中,D45H11G可用于实现各种传感器信号的调理和处理,如温度、压力等模拟信号的放大与隔离。此外,它还可以用于继电器驱动、电磁阀控制等场合,确保系统的可靠运行。

5. 汽车电子:由于其良好的电气特性和环境适应性,D45H11G也被广泛应用于汽车电子领域,如车灯控制、雨刷电机驱动、电动座椅调节等。这些应用对器件的耐压、耐流及工作温度范围有较高要求,而D45H11G均能很好地满足。

总之,D45H11G凭借其出色的性能参数和广泛应用范围,在众多电子产品中发挥着重要作用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP 10A 80V TO220AB两极晶体管 - BJT 10A 80V 50W PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor D45H11G-

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产品型号

D45H11G

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1V @ 400mA,8A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

40 @ 4A,1V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

D45H11GOS

功率-最大值

2W

包装

管件

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

40 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

70 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

10 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

10A

电流-集电极截止(最大值)

10µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

60

系列

D45H11

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

80 V

集电极—基极电压VCBO

80 V

集电极—射极饱和电压

1 V

集电极连续电流

10 A

频率-跃迁

40MHz

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