ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > CSD88539NDT
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD88539NDT由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD88539NDT价格参考。Texas InstrumentsCSD88539NDT封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 60V 15A 2.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载CSD88539NDT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD88539NDT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | Texas Instruments |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | CSD88539NDT |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | NexFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.6V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 741pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.4nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 28 毫欧 @ 5A,10V |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | 296-37796-1 |
制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD88539NDT |
功率-最大值 | 2.1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A |