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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD87381P由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD87381P价格参考¥2.55-¥6.20。Texas InstrumentsCSD87381P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 通道(半桥) Mosfet 阵列 30V 15A 4W 表面贴装 5-PTAB(3x2.5)。您可以下载CSD87381P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD87381P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC PWR BLOCK SYNC BUCK 30V 5PTABMOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block II |
产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关分离式半导体 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
Id-连续漏极电流 | 15 A |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD87381PNexFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | CSD87381P |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 4 W |
Pd-功率耗散 | 4 W |
Qg-GateCharge | 8.9 nC |
Qg-栅极电荷 | 8.9 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V to 1.7 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V to 1.7 V |
上升时间 | 16.3 ns |
下降时间 | 2.9 ns |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 5-PTAB (3x2.5) |
典型关闭延迟时间 | 16.8 ns |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Texas Instruments |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | - |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 5-LGA |
封装/箱体 | PTAB-5 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
正向跨导-最小值 | 89 S |
电压-电源 | 24V |
电流-峰值输出 | 40A |
电流-输出/通道 | 15A |
类型 | 半桥 |
系列 | CSD87381P |
输入类型 | 非反相 |
输出数 | 1 |
配置 | Single |