Datasheet下载- 型号： CSD87333Q3DT
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD87333Q3DT由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD87333Q3DT价格参考。Texas InstrumentsCSD87333Q3DT封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD87333Q3DT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD87333Q3DT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，5V 驱动 |
| FET类型 | 2 N 沟道（非对称桥） |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CSD87333Q3DT |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | NexFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 662pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14.3 毫欧 @ 4A， 8V |
| 供应商器件封装 | 8-SON（3.3x3.3） |
| 其它名称 | 296-37794-2 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD87333Q3DT |
| 功率-最大值 | 6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN |
| 标准包装 | 250 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A |
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