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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD87333Q3D由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD87333Q3D价格参考。Texas InstrumentsCSD87333Q3D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CSD87333Q3D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD87333Q3D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SONMOSFET High Duty Cycle Sync Buck NexFET |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,5V 驱动 |
FET类型 | 2 N 沟道(非对称桥) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
Id-连续漏极电流 | 15 A |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD87333Q3DNexFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | CSD87333Q3D |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 6 W |
Pd-功率耗散 | 6 W |
Qg-GateCharge | 4.6 nC |
Qg-栅极电荷 | 4.6 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 11.9 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 11.9 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.2 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
上升时间 | 3.9 ns |
下降时间 | 2.2 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 662pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.6nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14.3 毫欧 @ 4A, 8V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-VSON (3x3) |
其它名称 | 296-37535-6 |
制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD87333Q3D |
功率-最大值 | 6W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Texas Instruments |
安装类型 | * |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | VSON-8 FET |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 43 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A |
系列 | CSD87333Q3D |