ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > CSD87331Q3D
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
CSD87331Q3D产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD87331Q3D由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD87331Q3D价格参考。Texas InstrumentsCSD87331Q3D封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 通道(半桥) Mosfet 阵列 30V 15A 6W 表面贴装 8-LSON(5x6)。您可以下载CSD87331Q3D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD87331Q3D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SONMOSFET 30V Sync Buck NexFET Power Block |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | 2 个 N 通道(半桥) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
Id-连续漏极电流 | 15 A |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD87331Q3DNexFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | CSD87331Q3D |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 6 W |
Pd-功率耗散 | 6 W |
Qg-GateCharge | 2.7 nC, 6.4 nC |
Qg-栅极电荷 | 2.7 nC, 6.4 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 2.1 V, 1.2 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
上升时间 | 4.5 ns, 4.7 ns |
下降时间 | 1.3 ns, 2.4 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.1V, 1.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 518pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.2nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | - |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SON-EP(3.3x3.3) |
其它名称 | 296-29695-1 |
典型关闭延迟时间 | 7.4 ns, 11.2 ns |
制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD87331Q3D |
功率-最大值 | 6W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Texas Instruments |
商标名 | NexFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-LDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | LSON-8 Clip |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 48 S / 26 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A |
系列 | CSD87331Q3D |
配置 | Dual |