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  • 型号: CSD87331Q3D
  • 制造商: Texas Instruments
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CSD87331Q3D产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD87331Q3D由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD87331Q3D价格参考。Texas InstrumentsCSD87331Q3D封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 通道(半桥) Mosfet 阵列 30V 15A 6W 表面贴装 8-LSON(5x6)。您可以下载CSD87331Q3D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD87331Q3D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SONMOSFET 30V Sync Buck NexFET Power Block

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

2 个 N 通道(半桥)

Id-ContinuousDrainCurrent

15 A

Id-连续漏极电流

15 A

品牌

Texas Instruments

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产品图片

rohs

符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD87331Q3DNexFET™

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产品型号

CSD87331Q3D

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

6 W

Pd-功率耗散

6 W

Qg-GateCharge

2.7 nC, 6.4 nC

Qg-栅极电荷

2.7 nC, 6.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

18 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

18 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

2.1 V, 1.2 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

上升时间

4.5 ns, 4.7 ns

下降时间

1.3 ns, 2.4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.1V, 1.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

518pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

3.2nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

-

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SON-EP(3.3x3.3)

其它名称

296-29695-1

典型关闭延迟时间

7.4 ns, 11.2 ns

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD87331Q3D

功率-最大值

6W

包装

剪切带 (CT)

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-LDFN 裸露焊盘

封装/箱体

LSON-8 Clip

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

48 S / 26 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

15A

系列

CSD87331Q3D

配置

Dual

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