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  • 型号: CSD87330Q3D
  • 制造商: Texas Instruments
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD87330Q3D由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD87330Q3D价格参考¥4.34-¥8.19。Texas InstrumentsCSD87330Q3D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CSD87330Q3D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD87330Q3D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

IC PWR BLOCK SYNC BUCK 30V 8SONMOSFET 30V Sync Buck NexFET Power Block

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 通道(半桥)

Id-ContinuousDrainCurrent

20 A

Id-连续漏极电流

20 A

品牌

Texas Instruments

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产品图片

rohs

符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD87330Q3DNexFET™

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产品型号

CSD87330Q3D

PCN封装

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PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

6 W

Pd-功率耗散

6 W

Qg-GateCharge

4.8 nC, 9.6 nC

Qg-栅极电荷

4.8 nC, 9.6 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

9.45 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

9.45 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

2.1 V, 1.15 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

上升时间

6.8 ns, 7.5 ns

下降时间

1.7 ns, 1.6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

900pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5.8nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

-

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25886

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SON-EP(3.3x3.3)

其它名称

296-29660-1

典型关闭延迟时间

9.4 ns, 9.1 ns

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD87330Q3D

功率-最大值

6W

包装

剪切带 (CT)

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-LDFN 裸露焊盘

封装/箱体

LSON-8 Clip

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

76 S / 51 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20A

系列

CSD87330Q3D

配置

Dual

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