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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD87330Q3D由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD87330Q3D价格参考¥4.34-¥8.19。Texas InstrumentsCSD87330Q3D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CSD87330Q3D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD87330Q3D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | IC PWR BLOCK SYNC BUCK 30V 8SONMOSFET 30V Sync Buck NexFET Power Block |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 通道(半桥) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
Id-连续漏极电流 | 20 A |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD87330Q3DNexFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | CSD87330Q3D |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 6 W |
Pd-功率耗散 | 6 W |
Qg-GateCharge | 4.8 nC, 9.6 nC |
Qg-栅极电荷 | 4.8 nC, 9.6 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.45 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 9.45 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 2.1 V, 1.15 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
上升时间 | 6.8 ns, 7.5 ns |
下降时间 | 1.7 ns, 1.6 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.8nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | - |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25886 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SON-EP(3.3x3.3) |
其它名称 | 296-29660-1 |
典型关闭延迟时间 | 9.4 ns, 9.1 ns |
制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD87330Q3D |
功率-最大值 | 6W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Texas Instruments |
商标名 | NexFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-LDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | LSON-8 Clip |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 76 S / 51 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A |
系列 | CSD87330Q3D |
配置 | Dual |