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CSD86360Q5D产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD86360Q5D由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD86360Q5D价格参考。Texas InstrumentsCSD86360Q5D封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 通道(半桥) Mosfet 阵列 25V 50A 13W 表面贴装 8-LSON(5x6)。您可以下载CSD86360Q5D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD86360Q5D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON门驱动器 Synchrnus Buck NxFT Pwr Block |
产品分类 | FET - 阵列集成电路 - IC |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 通道(半桥) |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | http://www.ti.com/lit/gpn/csd86360q5d |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
产品系列 | 电源管理 IC,门驱动器,Texas Instruments CSD86360Q5DNexFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | CSD86360Q5D |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
上升时间 | 20.4 ns |
下降时间 | 4.3 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2060pF @ 12.5 |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.6nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | - |
产品 | Half-Bridge Drivers |
产品种类 | 门驱动器 |
供应商器件封装 | 8-SON(5x6) |
其它名称 | 296-35026-1 |
制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD86360Q5D |
功率-最大值 | 13W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Texas Instruments |
商标名 | NexFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-LDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | LSON-8 Clip |
工厂包装数量 | 2500 |
最大关闭延迟时间 | 14.5 ns |
最大功率耗散 | 13 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大开启延迟时间 | 8.4 ns |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A |
电源电压-最大 | 22 V |
电源电流 | 50 A |
类型 | Synchronous Buck MOSFET Driver |
系列 | CSD86360Q5D |
输出电压 | 1 V |
输出电流 | 50 A |
输出端数量 | 1 |
配置 | PowerBlock |