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  • 型号: CSD86360Q5D
  • 制造商: Texas Instruments
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CSD86360Q5D产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD86360Q5D由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD86360Q5D价格参考。Texas InstrumentsCSD86360Q5D封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 通道(半桥) Mosfet 阵列 25V 50A 13W 表面贴装 8-LSON(5x6)。您可以下载CSD86360Q5D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD86360Q5D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON门驱动器 Synchrnus Buck NxFT Pwr Block

产品分类

FET - 阵列集成电路 - IC

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 通道(半桥)

品牌

Texas Instruments

产品手册

http://www.ti.com/lit/gpn/csd86360q5d

产品图片

rohs

符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制

产品系列

电源管理 IC,门驱动器,Texas Instruments CSD86360Q5DNexFET™

数据手册

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产品型号

CSD86360Q5D

PCN封装

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PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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上升时间

20.4 ns

下降时间

4.3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2060pF @ 12.5

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12.6nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

-

产品

Half-Bridge Drivers

产品种类

门驱动器

供应商器件封装

8-SON(5x6)

其它名称

296-35026-1

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD86360Q5D

功率-最大值

13W

包装

剪切带 (CT)

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-LDFN 裸露焊盘

封装/箱体

LSON-8 Clip

工厂包装数量

2500

最大关闭延迟时间

14.5 ns

最大功率耗散

13 W

最大工作温度

+ 150 C

最大开启延迟时间

8.4 ns

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

50A

电源电压-最大

22 V

电源电流

50 A

类型

Synchronous Buck MOSFET Driver

系列

CSD86360Q5D

输出电压

1 V

输出电流

50 A

输出端数量

1

配置

PowerBlock

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