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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD86350Q5D由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD86350Q5D价格参考。Texas InstrumentsCSD86350Q5D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CSD86350Q5D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD86350Q5D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 25V 40A 8SONMOSFET Synch Buck NexFET Pwr Block MOSFET |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 通道(半桥) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
Id-连续漏极电流 | 40 A |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | http://www.ti.com/litv/slps223e |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD86350Q5DNexFET™ |
数据手册 | http://www.ti.com/lit/pdf/slps223e |
产品型号 | CSD86350Q5D |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 13 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
上升时间 | 23 ns |
下降时间 | 21 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1870pF @ 12.5V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.7nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 毫欧 @ 20A,8V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SON(5x6) |
其它名称 | 296-27532-6 |
制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD86350Q5D |
功率-最大值 | 13W |
包装 | Digi-Reel® |
参考设计库 | http://www.digikey.com/rdl/4294959904/4294959903/520 |
商标 | Texas Instruments |
商标名 | NexFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-LDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | LSON-8 Clip |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/texas-instruments/CSD86350Q5D.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 40A |
系列 | CSD86350Q5D |
视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
配置 | Dual |