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  • 型号: CSD86350Q5D
  • 制造商: Texas Instruments
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD86350Q5D由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD86350Q5D价格参考。Texas InstrumentsCSD86350Q5D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CSD86350Q5D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD86350Q5D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 25V 40A 8SONMOSFET Synch Buck NexFET Pwr Block MOSFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 通道(半桥)

Id-ContinuousDrainCurrent

40 A

Id-连续漏极电流

40 A

品牌

Texas Instruments

产品手册

http://www.ti.com/litv/slps223e

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD86350Q5DNexFET™

数据手册

http://www.ti.com/lit/pdf/slps223e

产品型号

CSD86350Q5D

PCN封装

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PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

13 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

8 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

上升时间

23 ns

下降时间

21 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1870pF @ 12.5V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10.7nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6 毫欧 @ 20A,8V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SON(5x6)

其它名称

296-27532-6

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD86350Q5D

功率-最大值

13W

包装

Digi-Reel®

参考设计库

http://www.digikey.com/rdl/4294959904/4294959903/520

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-LDFN 裸露焊盘

封装/箱体

LSON-8 Clip

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

25V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/texas-instruments/CSD86350Q5D.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

40A

系列

CSD86350Q5D

视频文件

http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001

配置

Dual

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