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CSD75301W1015产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD75301W1015由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD75301W1015价格参考。Texas InstrumentsCSD75301W1015封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 1.2A 800mW 表面贴装 6-DSBGA(1x1.5)。您可以下载CSD75301W1015参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD75301W1015 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD75301W1015 是 Texas Instruments(德州仪器)推出的一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品。该型号专为高效能功率转换和驱动应用设计,适用于多种工业、汽车及消费电子领域。以下是其主要应用场景: 1. 电机驱动 - CSD75301W1015 可用于无刷直流电机(BLDC)和其他类型电机的驱动电路中。 - 其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高效率。 - 适合小型家用电器(如风扇、水泵)或工业自动化设备中的电机控制。 2. 电源管理 - 在开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器等电源管理模块中表现优异。 - 支持高效的降压(Buck)或升压(Boost)转换,适用于笔记本电脑适配器、充电器等场景。 - 低栅极电荷(Qg)使其在高频开关应用中保持较低的开关损耗。 3. 电池管理系统(BMS) - 用于电池保护电路中,实现过流、短路保护等功能。 - 在电动车(EV)、混合动力车(HEV)或便携式设备的电池组中,提供可靠的开关性能。 4. 负载切换与保护 - 在汽车电子系统中,可用于负载切换、继电器替代或过流保护。 - 例如:车灯控制、雨刷电机驱动、座椅调节等应用。 5. 逆变器与太阳能系统 - 在微型逆变器或太阳能发电系统中,作为功率级开关元件使用。 - 提供高效率的能量转换能力,降低热耗散。 6. 消费电子产品 - 应用于游戏机、无人机、智能家居设备等需要高效功率管理的场合。 - 为这些设备提供稳定且节能的电源解决方案。 总结 CSD75301W1015 的高性能特性(如低 Rds(on)、优化的 Qg 和封装设计)使其成为需要高效率、小尺寸和低功耗解决方案的理想选择。它广泛应用于电机驱动、电源管理、电池保护、汽车电子以及可再生能源等领域,满足现代电子设备对功率密度和可靠性的需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET PCH 20V 1.2A 6DSBGAMOSFET P-Ch-Dual Common Source Pwr MOSFETs |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.2 A |
Id-连续漏极电流 | 1.2 A |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD75301W1015NexFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | CSD75301W1015 |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 800 mW |
Pd-功率耗散 | 800 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 1.7 ns |
下降时间 | 16 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 195pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.1nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 1A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-DSBGA(1x1.5) |
其它名称 | 296-24261-1 |
典型关闭延迟时间 | 38 ns |
制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD75301W1015 |
功率-最大值 | 800mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Texas Instruments |
商标名 | NexFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-UFBGA,DSBGA |
封装/箱体 | DSBGA-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.2A |
系列 | CSD75301W1015 |
视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual Common Dual Source |