【CSD75211W1723/规格参数】厂家_CSD75211W1723中文资料_价格

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型号： CSD75211W1723
制造商： Texas Instruments
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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CSD75211W1723产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGAMOSFET Dual P-Channel Nex FET Power MOSFET
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 P 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	4.5 A
Id-连续漏极电流	4.5 A
品牌	Texas Instruments
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD75211W1723NexFET™
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产品型号	CSD75211W1723
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Pd-PowerDissipation	1.5 W
Pd-功率耗散	1.5 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	39 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	39 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 8 V
Vgs-栅源极击穿电压	8 V
上升时间	4.1 ns
下降时间	1.6 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	600pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	5.9nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	40 毫欧 @ 2A，4.5V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	12-DSBGA（1.53x1.98）
其它名称	296-27598-1
制造商产品页	http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD75211W1723
功率-最大值	1.5W
包装	剪切带（CT）
商标	Texas Instruments
商标名	NexFET
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	12-UFBGA，DSBGA
封装/箱体	DSBGA-12
工厂包装数量	3000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	4.5A
系列	CSD75211W1723
视频文件	http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001
配置	Dual