Datasheet下载- 型号： CSD25211W1015
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD25211W1015由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD25211W1015价格参考。Texas InstrumentsCSD25211W1015封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD25211W1015参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD25211W1015 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CSD25211W1015 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | NexFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 570pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 33 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-DSBGA（1x1.5） |
| 其它名称 | 296-36578-6 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UFBGA，DSBGA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A（Ta） |
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